تبليغاتX
وبلاگ دانشجویان دانشگاه آزاد واحد زاهدان
وبلاگ دانشجویان دانشگاه آزاد واحد زاهدان

بزرگترين وبلاگ دانشجويي استان سيستان و بلوچستان :::::::::::::::: www.uazadzahedan.blogfa.com

دانشگاه صنعتی اصفهان میزبان هجدهمین دوره كنفرانس مهندسی برق ایران در اردیبهشت ماه 1389 می باشد. این كنفرانس با هدف گسترش مرزهای دانش و تبادل نظر علمی و فنی در زمینه های مختلف مهندسی برق و ارایه یافته های نوین توسط پژوهشگران و اندیشمندان مراكز پژوهشی و دانشگاه ها برنامه ریزی شده است. كمیته برگزار كننده هجدهمین كنفرانس در صدد است با برگزاری سخنرانی های كلیدی، ارایه مقالات در نشت های علمی - تخصصی، برگزاری كارگاه ها و میزگردهای آموزشی - پژوهشی و برپایی نمایشگاه های تخصصی در زمینه كنفرانس، علاقمندان را با آخرین دستاوردهای دانش فنی در زمینه های مختلف مهندسی برق آشنا سازد. كمیته علمی كنفرانس از كلیه پژوهشگران، صاحب نظران، متخصصان و علاقمندان در رشته های مختلف مهندسی برق دعوت می نماید تا مقالات خود را كه حاوی آخرین یافته های علمی در زمینه های موضوعی كنفرانس می باشد را به دبیرخانه كنفرانس ارسال نمایند.

آدرس سایت کنفرانس

نوشته شده در جمعه بیست و چهارم مهر 1388ساعت 22:40 توسط دانشجو| |

ارائه انواع مقالات و تحقیقات و پروژههای دانشجویی

از دوستان هم دانشگاهی نیز که تمایل به همکاری با ما را دارند میتوانند با ما ارتباط برقرار کنند.

منتظریم...

نوشته شده در یکشنبه پنجم مهر 1388ساعت 11:28 توسط دانشجو| |

بصورت استاندارد دو نوع ترانزیستور بصورت PNP و NPN داریم. انتخاب نام آنها به نحوه کنار هم قرار گرفتن لایه های نیمه هادی و پلاریته آنها بستگی دارد.

انواع ترانزیستورهای 3 پایه

در اوایل ساخت این وسیله الکترونیکی و جایگزینی آن ها با لامپهای خلاء، ترانزستورها اغلب از جنس ژرمانیم و بصورت PNP ساخته می شدند اما محدودیت های ساخت و فن آوری از یک طرف و تفاوت بهره دریافتی از طرف دیگر، سازندگان را مجبور کرد که بعدها بیشتر از نیمه هادیی از جنس سیلیکون و با پلاریته NPN برای ساخت ترانزیستور استفاده کنند.

تفاوت خاصی در عملکرد این دو نمونه وجود ندارد.

ترانزیستور دارای سه پایه است

این پایه ها به نامهای Base (پایه) ، Collector (جمع کننده) و Emitter (منتشر کننده) مشخص می شوند. اگر به ساختار لایه ای یک ترانزیستور دقت کنیم بنظر تفاوت خاصی میان Collector و Emitter دیده نمی شود اما واقعیت اینگونه نیست. چرا که ضخامت و بزرگی لایه Collector به مراتب از Emitter بزرگتر است و این عملا" باعث می شود که این دو لایه با وجود تشابه پلاریته ای که دارند با یکدیگر تفاوت داشته باشند. با وجود این معمولا" در شکل ها برای سهولت این دو لایه را بصورت یکسان در نظر می گیرند.

طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به این پیوند حدود ۰.۶ تا ۰.۷ ولت با توجه به نوع ترانزیستور ولتاژ اعمال شود)، در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید.

در حالت عادی میان E و C هیچ مدار بازی وجود ندارد اما به محض آنکه شما پیوند BE را با پلاریته موافق بایاس کنید، این پیوند تقریبا" بصورت اتصال کوتاه عمل می کند و شما عملا" خواهید توانست از پایه های E و C جریان قابل ملاحظه ای بکشید.

بنابراین مشاهده می کنید که با برقراری یک جریان کوچک Ib شما می توانید یک جریان بزرگ Ic را داشته باشید. این مدار اساس سوئیچ های الکترونیک در مدارهای الکترونیکی است. بعنوان مثال شما می توانید در مدار کلکتور یک رله قرار دهید که با جریان مثلا" چند آمپری کار می کند و در عوض با اعمال یک جریان بسیار ضعیف در حد میلی آمپر - حتی کمتر - در مدار بیس که ممکن است از طریق یک مدار دیجیتال تهیه شود، به رله فرمان روشن یا خاموش شدن بدهید.


نوشته شده در یکشنبه پنجم مهر 1388ساعت 11:22 توسط دانشجو| |